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TFT-LCD阵列基板铜导线刻蚀废水处理方法
作者:澳门威尼斯人官网-澳门威尼斯人官网网址 发布日期:2019-11-18 15:01

  本创造触及一种TFT‑LCD阵列基板铜导线刻蚀废水的处理办法。上述TFT‑LCD阵列基板铜导线刻蚀废水的处理办法包含如下过程:向铜刻蚀废水中参加催化剂,以催化铜刻蚀废水进行氧化反响,然后除掉所催化剂,得到榜首处理液;调理榜首处理液的pH为10~14,将榜首处理液在40℃~90℃下进行汽提处理,得到汽提液和氨水,再将汽提液过滤,得到第二处理液和氧化铜;向第二处理液中顺次参加硝酸钙和可溶性碳酸盐,再经固液别离,得到第三处理液和硫酸钙;将第三处理液蒸馏处理,得到馏出液和硝酸盐。上述铜刻蚀废水的处理办法可以使处理后的铜刻蚀废水直接收管排放,且处理过程中可以使铜刻蚀废水中的资源收回使用。

  权利要求书

  1.一种TFT-LCD阵列基板铜导线刻蚀废水的处理办法,其特征在于,包含如下过程:

  向铜刻蚀废水中参加催化剂,以催化所述铜刻蚀废水中的双氧水进行氧化反响,然后除掉所述催化剂,得到榜首处理液,其间,所述催化剂中含有过渡金属元素;

  调理所述榜首处理液的pH为10~14,将所述榜首处理液在40℃~90℃下进行汽提处理,得到汽提液和氨水,再将所述汽提液过滤,得到第二处理液和氧化铜;

  向所述第二处理液中顺次参加硝酸钙和可溶性碳酸盐,再经固液别离,得到第三处理液和硫酸钙;

  将所述第三处理液蒸馏处理,得到馏出液和硝酸盐。

  2.依据权利要求1所述的处理办法,其特征在于,所述过渡金属元素选自铁元素、铜元素、锰元素、钌元素、铑元素及钯元素中的至少一种。

  3.依据权利要求2所述的处理办法,其特征在于,所述催化剂为水溶性盐,或许,所述催化剂为负载型催化剂。

  4.依据权利要求1~3任一项所述的处理办法,其特征在于,所述催化剂参加的质量为所述铜刻蚀废水的质量的0.5%~2%。

  5.依据权利要求1所述的处理办法,其特征在于,所述向铜刻蚀废水中参加催化剂的过程之前,还包含调理所述铜刻蚀废水的pH为3~5的过程。

  6.依据权利要求1所述的处理办法,其特征在于,所述将所述榜首处理液在40℃~90℃下进行汽提处理的过程中,将所述榜首处理液在60℃~80℃下进行汽提处理。

  7.依据权利要求1所述的处理办法,其特征在于,所述向所述第二处理液中顺次参加硝酸钙和可溶性碳酸盐,再经固液别离,得到第三处理液和硫酸钙的过程包含:

  向所述第二处理液中顺次参加所述硝酸钙和所述可溶性碳酸盐反响,过滤,得到滤液和滤渣;

  洗刷所述滤渣,得到所述硫酸钙;

  除掉所述滤液中的所述可溶性碳酸盐,得到所述第三处理液。

  8.依据权利要求7所述的处理办法,其特征在于,所述洗刷所述滤渣的过程中,选用质量分数为5%~10%的硝酸洗刷所述滤渣,且所述硝酸的参加量与所述滤渣的质量比为(2~3)∶1。

  9.依据权利要求7所述的处理办法,其特征在于,所述除掉所述滤液中的所述可溶性碳酸盐的过程包含:向所述滤液中参加硝酸,调理所述滤液的pH为2~3。

  10.依据权利要求1所述的处理办法,其特征在于,所述调理所述榜首处理液的pH为10~14的过程中,所用的试剂为氢氧化钠,所述可溶性碳酸盐为碳酸钠;

  或许,所述调理所述榜首处理液的pH为10~14的过程中,所用的试剂为氢氧化钾,所述可溶性碳酸盐为碳酸钾;

  或许,所述调理所述榜首处理液的pH为10~14的过程中,调理所述榜首处理液的pH为11~13。

  说明书

  TFT-LCD阵列基板铜导线刻蚀废水的处理办法

  技能范畴

  本创造触及废水处理范畴,特别是触及一种TFT-LCD阵列基板铜导线刻蚀废水的处理办法。

  布景技能

  近几年,TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显现器)因为具有轻浮、省电、低辐射等长处,被广泛应用于电视、电脑、手持终端设备、平面显现器以及仪器仪表等范畴。TFT-LCD是由两块带电极的玻璃板及中心填充的液晶分子组成,其上层玻璃板为CF(五颜六色滤光片)基板,基层为TFT阵列基板。为了到达优异的显现功能,低电阻率及杰出电搬迁才能的铜导线被使用在TFT阵列基板上。

  TFT阵列基板上铜导线是一种金属层电路,选用湿式蚀刻工艺制成,该工艺会发生很多刻蚀废水,废水中首要含铜、双氧水、硫酸、磷酸、硝酸、氢氟酸、氨氮、氨基唑类及羧酸类化合物等污染物,归于危险废物,直接排放会对环境形成极大损害。

  传统对TFT-LCD废水的处理办法可以使废水合格排放,但会发生很多的废渣、废盐,发生二次污染,并且TFT-LCD废水中还含很多铜、硫酸等有价值成分物质,传统的废水处理办法不能使TFT-LCD阵列基板铜导线刻蚀废水中的有价值成分收回使用,形成资源糟蹋。

  创造内容

  基于此,有必要供给一种可以使铜刻蚀废水中的资源收回使用且处理作用好的TFT-LCD阵列基板铜导线刻蚀废水的处理办法。

  一种TFT-LCD阵列基板铜导线刻蚀废水的处理办法,包含如下过程:

  向铜刻蚀废水中参加催化剂,以催化所述铜刻蚀废水中的双氧水进行氧化反响,然后除掉所述催化剂,得到榜首处理液,其间,所述催化剂中含有过渡金属元素;

  调理所述榜首处理液的pH为10~14,再将所述榜首处理液在40℃~90℃下进行汽提处理,得到汽提液和氨水,再将所述汽提液过滤,得到第二处理液和氧化铜;

  向所述第二处理液中顺次参加硝酸钙和可溶性碳酸盐,再经固液别离,得到第三处理液和硫酸钙;

  将所述第三处理液蒸馏处理,得到馏出液和硝酸盐。

  在其间一个施行例中,所述过渡金属元素选自铁元素、铜元素、锰元素、钌元素、铑元素及钯元素中的至少一种。

  在其间一个施行例中,所述催化剂为水溶性盐,或许,所述催化剂为负载型催化剂。

  在其间一个施行例中,所述催化剂参加的质量为所述铜刻蚀废水的0.5%~2%。

  在其间一个施行例中,所述向铜刻蚀废水中参加催化剂的过程之前,还包含调理所述铜刻蚀废水的pH为2~6的过程。

  在其间一个施行例中,所述向铜刻蚀废水中参加催化剂的过程之前,还包含调理所述铜刻蚀废水的pH为3~5的过程。

  在其间一个施行例中,所述将所述榜首处理液进行汽提处理的过程中,将所述榜首处理液在60℃~80℃下进行汽提处理。

  在其间一个施行例中,所述向所述第二处理液中顺次参加硝酸钙和可溶性碳酸盐,再经固液别离,得到第三处理液和硫酸钙的过程包含:

  向所述第二处理液中顺次参加所述硝酸钙和所述可溶性碳酸盐反响,过滤,得到滤液和滤渣;

  洗刷所述滤渣,得到所述硫酸钙;

  除掉所述滤液中的所述可溶性碳酸盐,得到所述第三处理液。

  在其间一个施行例中,所述洗刷所述滤渣的过程中,选用质量分数为5%~10%的硝酸洗刷所述滤渣,且所述硝酸的参加量与所述滤渣的质量比为(2~3)∶1。

  在其间一个施行例中,所述除掉所述滤液中的所述可溶性碳酸盐的过程包含:向所述滤液中参加硝酸,调理所述滤液的pH为1~6。

  在其间一个施行例中,所述除掉所述滤液中的所述可溶性碳酸盐的过程包含:向所述滤液中参加硝酸,调理所述滤液的pH为2~3。

  在其间一个施行例中,所述调理所述榜首处理液的pH为10~14的过程中,所用的试剂为氢氧化钠,所述可溶性碳酸盐为碳酸钠;

  或许,所述调理所述榜首处理液的pH为10~14的过程中,所用的试剂为氢氧化钾,所述可溶性碳酸盐为碳酸钾;

  或许,所述调理所述榜首处理液的pH为10~14的过程中,调理所述榜首处理液的pH为11~13。

  在其间一个施行例中,所述催化剂为水溶性盐,所述向铜刻蚀废水中参加催化剂,以催化所述铜刻蚀废水中的双氧水进行氧化反响,然后除掉所述催化剂,得到榜首处理液的过程包含:向所述铜刻蚀废水中参加所述催化剂,以催化所述双氧水进行氧化反响;再向反响后的所述铜刻蚀废水中参加强碱,然后过滤,得到所述榜首处理液;

  或许,所述催化剂为负载型催化剂,所述向铜刻蚀废水中参加催化剂,以催化所述铜刻蚀废水中的双氧水进行氧化反响,然后除掉所述催化剂,得到榜首处理液的过程包含:向所述铜刻蚀废水中参加所述催化剂,以催化所述双氧水进行氧化反响;再将反响后的所述铜刻蚀废水过滤,得到所述榜首处理液。

  上述TFT-LCD阵列基板铜导线刻蚀废水的处理办法经过向铜刻蚀废水中参加催化剂,可以使催化剂催化铜刻蚀废水中的双氧水氧化有机物,然后除掉有机物和双氧水;经过调理pH并进行汽提处理可以使铜刻蚀废水中的氨氮转化为氨水,部分NH3与Cu2+结合生成[Cu(NH3)4]2+,在加热及榜首处理液中硫酸盐存在的条件下快速反响得到碱式硫酸铜沉积,并进一步快速分解为氧化铜,然后使氨氮和铜离子得以收回;向第二处理液中参加硝酸钙和可溶性碳酸盐,可以除掉第二处理液中的硫酸根离子、少数氟离子和少数磷酸根离子,得到硫酸钙和第三处理液,最终对第三处理液进行蒸馏,即可以得到硝酸盐和可直接收管排放的馏出液。因而,经过上述铜刻蚀废水的处理办法可以使铜刻蚀废水中的铜离子、硫酸根离子、氨氮、硝酸等别离收回,得到氧化铜、硫酸钙、氨水和硝酸盐,且经上述处理办法处理后得到的馏出液可直接收管排放,不发生二次污染。(创造人龙江;陈露;吴文彪)

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